用“芯”驅動,飛達未來

——記英飛淩2018媒體見面會


                                                   本刊記者 李鵬


    按照慣例,一年一度的英飛淩迎春媒體見面會近日在北京一家别有洞天的四合院裡舉行。會議的主角仍然是英飛淩科技(中國)有限公司大中華區總裁蘇華博士。在輕松愉悅的氣氛中,蘇華博士做了《英飛淩2017業績回顧及2018展望》的報告。

 


    根據世界半導體貿易統計協會(WSTS)2017年11月發布的報告顯示,2017年世界半導體市場增長顯著,規模超過4,090億美元,創七年以來的新高。同時,WSTS預計,2018年全球半導體銷售額将超過4,370億美元,年增7.0%,有望續創曆史新高。在中國,半導體市場增長與全球保持同步,增速超過19%。國家政策、資金支持以及創新應用成為驅動中國半導體增長的主力軍。


  2017财年,英飛淩的業績持續增長。集團全球營收額達到70.63億歐元,相比2016年增長9%,利潤率達17.1%。英飛淩擁有非常廣泛的增長基礎,除了電動汽車、駕駛輔助系統和可再生能源外,工業應用業務也是公司進一步增長的支柱,其中包括用于自動化程度越來越高的生産機械和機器人的驅動器。英飛淩的這顆智慧“芯”正在讓人們的生活更加便利、安全和環保。


    2017财年突出業績背後的四大亮點


    首先,持續提高生産力并擴大産能。英飛淩位于德國的德累斯頓工廠300mm薄晶圓産能擴張發揮了關鍵作用。


    其次,重視技術研發。2017财年,英飛淩關注基于複合半導體的新技術,擴展碳化矽和氮化镓領域的産品組合,尤其在碳化矽MOSFET産品方面實現首次營收,這一關鍵技術的突破性進展為持續成功奠定基礎。


    第三,進一步實施“從産品思維到系統理解”戰略。英飛淩通過了解客戶的系統以及市場需求,結合自身在半導體領域的專業知識,給客戶提供理想的系統解決方案。


    第四,不斷創新。2017财年,英飛淩成功實現新一代後量子加密技術(PQC)在市售非接觸式安全芯片上的首次實施,意味着在可對抗量子計算能力的加密領域,英飛淩處于領先地位。


    2017财年,英飛淩繼續保持在功率半導體以及智能卡芯片領域世界第一,在全球汽車半導體市場位居第二的領導地位。


    中國可再生能源成為促進營英飛淩收增長的第二大因素 


    工業功率控制事業部(IPC)2017财年營收額達到12.06億歐元。此外,歸功于中國政府大力支持的風電和光伏産業的大幅擴張,可再生能源成為促進營收增長的第二大因素。根據IHS Markit截至2017年8月的數據,憑借26.6%的市場份額,英飛淩名列全球IGBT功率半導體市場第一的位置。


    未來幾年,随着各國政府、尤其是中國政府對可再生能源的開發利用和持續投資,工業功率控制事業部将不斷獲益,業務繼續壯大。


    英飛淩将繼續專注于關鍵的增長市場,堅持創新,并借助于在碳化矽和氮化镓技術領域的不斷突破,進一步擴大産品組合,實現先進技術和産品在諸如電動汽車、可再生能源、物聯網等新興領域的成功應用。


2017年英飛淩在功率器件方面取得重大突破



     蘇華博士與英飛淩四大部門負責人共同接受了媒體提問。通過多年對英飛淩的跟蹤報道,筆者深感IGBT芯片之于光伏逆變器猶如CPU之于計算機一樣核心重要,Infineon inside則是光伏逆變器品質的重要保證。工業功率控制事業部中國區負責人于代輝副總裁回答了筆者所關心英飛淩面對未來中國光伏市場的策略和SiC技術進展。


    關于2018年中國光伏補貼電價下調的應對策略,于代輝表示:短期來看,補貼下調會增加我們客戶成本壓力和盈利水平的壓力,但是長期來看我認為能促進更加良性、健康的發展,所以英飛淩會和客戶一起共同面對成本壓力,大力提高功率密度和産品系統性能。工業功率控制事業部主要從三個方面來支持光伏産業競争力的提升。


    第一是産品技術創新。基于對光伏系統朝着1500V直流發展的判斷,針對新的應用英飛淩提出了全新的技術方案。采用IGBT5 .xt技術的新一代PrimePACK™3+是業内功率密度最高的PrimePACK™,電流高達1800A/1200V,可以使得單機容量做到1MW以上,真正體現1500V光伏系統的優勢和價值。


    第二是為客戶提供定制化服務。英飛淩重視中國客戶需求,比如為客戶定制的1500V直流優化系統方案,幫助客戶拿到海外訂單,也體現了英飛淩中國支持本土客戶走向全球的戰略。


    第三是重視利用生态圈。充分利用産學研合作優勢,英飛淩推出1500V直流系統産品後,為提高其高功率密度設計,英飛淩和大學一起做了預研,并聯合供應鍊上的相關合作夥伴和客戶一起完成了1.25MW設計,推出了1MW、1.1MW、1.25MW光伏逆變器系列産品,推動了中國光伏産業技術升級。


    2017年,英飛淩在功率器件方面的突破包括:英飛淩一直緻力于功率器件的功率密度的提高,不斷降低IGBT芯片的損耗,不斷開發新的封裝技術,同時根據中國市場的應用需求開發客戶定制産品。中國客戶在光伏和UPS等應用中有不少創新的拓撲結構,如何以高功率密度的方法實現就需要開發相應的模塊産品。這些産品中會用到最新的芯片技術,包括碳化矽二極管的MOS管。


    碳化矽(SiC)是英飛淩一直在主導的産品,因為它是未來的趨勢。碳化矽MOSFET存在平面栅工藝可靠性方面的技術難題,英飛淩是分兩步走的:第一步是在2014年推出SiC JFET,避免了栅極問題,開創了在SiC高速功率開關的應用新紀元;第二步是2016年推出領先的溝槽栅SiC MOSFET技術,避免了栅極的電場應力,消除了令人擔憂的可靠性和壽命問題。


    作為一個行業領導者,英飛淩不遺餘力地推進碳化矽多領域應用。2017年英飛淩開始批量生産碳化矽分立器件和模塊,分立器件有TO-247-3pin和TO-247-4pin封裝的産品,模塊有EASY 1B和EASY 2B,62mm等封裝,可在太陽能、傳動、UPS和電源領域應用。


    1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽栅技術的一大優勢體現在:第一、具有持久堅固耐用性,失效率很低,這得益于門級氧化層的可靠性。第二、實現業界碳化矽器件導通、開關損耗最低,溫升最低,效率最高。第三、英飛淩SiC器件具備業界獨家的3μs短路能力,這是由于其具備較低的工作時間失效(FIT)率和有效的短路能力,可适應不同的應用;同時得益于4 V的阈值電壓(V th)和+15 V的推薦接通阈值(V GS ),可以能像驅動IGBT一樣驅動英飛淩的SiC MOSEFT,在發生故障時得以安全關閉,用戶不需要專門再設計特别的驅動電力,這樣就大大提高了碳化矽産品普及的速度。


作為全球著名的半導體科技公司,英飛淩引領了全球半導體技術發展,并在所有專注的産品市場名列前茅。懷着對客戶負責、對社會盡責的使命感,英飛淩将繼續用“芯”驅動未來,讓人們的生活更加便利、安全和環保。

2018年01月22日

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來源:太陽能網  

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